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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO M418039 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
46
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
20
读取速度,GB/s
2,909.8
16.0
写入速度,GB/s
1,519.2
7.4
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2414
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
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Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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