RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
55
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2644
2612
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Lenovo 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link