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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Vergleichen Sie
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
5.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.1
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1432
2135
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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