RAM-Vergleich Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Gesamtnote

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

11.9 9.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.5 5.1

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1432 2135

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns