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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.9 left arrow 9.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 5.1
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.4 left arrow 11.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.1 left arrow 7.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1432 left arrow 2135

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB

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