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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.1
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1432
2135
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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