RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Porównaj
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1432
2135
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link