RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2605
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link