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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

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相違点 仕様 コメント

相違点

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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB 考慮すべき理由
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.5 left arrow 5.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 11.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.1 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1432 left arrow 2135

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