Comparaison de la RAM Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Note globale

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

11.9 9.4

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.5 5.1

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8C-PB 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1432 2135

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns