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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
25
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
3187
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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