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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2829
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
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Kingston K1CXP8-MIE 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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