RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2829
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link