RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
38
Velocità di lettura, GB/s
18.2
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2829
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link