RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
7.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2690
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link