RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2690
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link