RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2690
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link