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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
62
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2829
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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