RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
62
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2829
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link