RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2421
3013
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link