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Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2421
3013
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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