RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2421
3013
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link