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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2713
2569
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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