HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gesamtnote
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Unterschiede

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Gründe für die Berücksichtigung
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 36
    Rund um 14% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.7 left arrow 15
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 17000
    Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.3 left arrow 9.5
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    31 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.7 left arrow 15.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 10.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2713 left arrow 2569
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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