RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB против Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
36
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
9.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.7
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2713
2569
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link