RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
36
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
15
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.7
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2713
2569
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-100.A00LF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link