RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
96
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
4.8
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2126
1062
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link