RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 96

Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.9 4.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

11 9.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 17000

Rund um 1.13 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2126 1062

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns