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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
96
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
4.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
96
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
4.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
1062
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
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