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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
96
Autour de 64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
4.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
96
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
4.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
1062
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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