RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 67

Rund um 48% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.9 9.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.3 7.9

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2126 1850

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns