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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

総合得点
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 67
    周辺 48% 低遅延
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 7.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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