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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
67
Autour de 48% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
67
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
1850
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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