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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
43
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
17000
Rund um 1.38 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
13.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
23400
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2126
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Frequency (Mhz) *
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