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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
43
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
17000
Autour de 1.38 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
43
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
23400
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
2794
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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