Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Gesamtnote
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 37
    Rund um 22% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 9.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
    Rund um 1.11 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 9.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2407 left arrow 2722
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