Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 37
    Por volta de 22% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.8 left arrow 9.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 19200
    Por volta de 1.11 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    29 left arrow 37
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.8 left arrow 9.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2407 left arrow 2722
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