Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 37
    Intorno 22% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.8 left arrow 9.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 19200
    Intorno 1.11 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.8 left arrow 9.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2407 left arrow 2722
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