RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 25

Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17 14.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.7 8.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 17000

Rund um 1.25 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2542 3156

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns