RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB против Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2542
3156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link