Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB против Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 25
    Около -9% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17 left arrow 14.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.7 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 17000
    Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.8 left arrow 17.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.9 left arrow 14.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2542 left arrow 3156
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения