RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
59
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
12.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2361
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link