RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
13.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2594
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7BFR4C
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link