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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2594
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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