RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
34
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link