RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
34
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
21
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link