RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
37
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
2898
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link