RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
34
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
1897
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link