RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
34
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
32
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
1897
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link