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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
80
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
4.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
80
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
5.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
4.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2066
998
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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