Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Gesamtnote
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Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 80
    Rund um 61% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.3 left arrow 5.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 4.1
    Durchschnittswert bei den Tests
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    31 left arrow 80
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.3 left arrow 5.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 4.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2066 left arrow 998
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