RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 37

Rund um 24% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.4 12.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.5 9.6

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 12800

Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2329 3075

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns