RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2893
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link