RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2893
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link