RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link