RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link