RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
55
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
55
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2665
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link